ವಿವರಣೆ:

ಸ್ಕ್ವೇರ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಚಿಪ್ ಒಂದು ರೀತಿಯ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಚಿಪ್, ಮತ್ತು ಗೇಟ್, ಕ್ಯಾಥೋಡ್, ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಸೇರಿದಂತೆ ಮೂರು PN ಜಂಕ್ಷನ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ನಾಲ್ಕು-ಪದರದ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ರಚನೆಯಾಗಿದೆ.ಕ್ಯಾಥೋಡ್, ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಎಲ್ಲಾ ಫ್ಲಾಟ್ ಮತ್ತು ಚದರ ಆಕಾರವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ನ ಒಂದು ಬದಿಯನ್ನು ಕ್ಯಾಥೋಡ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇನ್ನೊಂದು ಬದಿಯನ್ನು ಆನೋಡ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಕ್ಯಾಥೋಡ್‌ನಲ್ಲಿ ಸೀಸದ ರಂಧ್ರವನ್ನು ತೆರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ರಂಧ್ರದಲ್ಲಿ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಗೇಟ್, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಬೆಸುಗೆ ವಸ್ತುಗಳೊಂದಿಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ.ಮುಖ್ಯ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಸೇರಿವೆ: ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಕ್ಲೀನಿಂಗ್, ಡಿಫ್ಯೂಷನ್, ಆಕ್ಸಿಡೇಶನ್, ಫೋಟೊಲಿಥೋಗ್ರಫಿ, ಸವೆತ, ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ರಕ್ಷಣೆ, ಲೋಹೀಕರಣ, ಪರೀಕ್ಷೆ ಮತ್ತು ಡೈಸಿಂಗ್.

ಉತ್ಪಾದನಾ ಬಂಡವಾಳ:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

ಗೇಟ್ ಪ್ರಕಾರ:

• ಟ್ರಯಾಂಗಲ್ ಕಾರ್ನರ್ ಗೇಟ್: ITAV=25A~60A

• ರೌಂಡ್ ಸೆಂಟರ್ ಗೇಟ್: ITAV=110A~200A

ರಚನೆ:

• ಡಬಲ್ ಮೆಸಾ

• ಮೆಟಾಲೈಸ್ಡ್ ಆನೋಡ್ ಬಹು-ಪದರದ ಲೋಹ TiNiAg ಅಥವಾ Al+TiNiAg ಆಗಿದೆ

• ಮೆಟಾಲೈಸ್ಡ್ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಪದರವು ಅಲ್ ಅಥವಾ TiNiAg ಆಗಿದೆ

ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು:

• ವಿತರಿಸಲಾದ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಪ್ರಸರಣ, ಕಡಿಮೆ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ಬಂಧಿಸುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್

• ಡಬಲ್ ಋಣಾತ್ಮಕ ಕೋನ ಆಕಾರ

• ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ರಕ್ಷಣೆ ವಸ್ತು: SIPOS+GLASS+LTO

• ಕಡಿಮೆ IL ಮತ್ತು ವ್ಯಾಪಕ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್

• ದಪ್ಪ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಪದರ ಮತ್ತು ಸುಲಭ ಬಂಧ

• ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಪ್ರಚೋದಕ ಸ್ಥಿರತೆ