ಹಂತ ನಿಯಂತ್ರಣ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ (ಮಿಶ್ರಣ ಪ್ರಕಾರ)

ವಿವರಣೆ:

ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಂಟ್ರೋಲ್ ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್ (SCR) ಎಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ, ಇದು ಮೂರು PN ರಚನೆಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಉನ್ನತ-ಶಕ್ತಿಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ.ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ದೃಷ್ಟಿಯಿಂದ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಏಕಮುಖ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಮಾತ್ರವಲ್ಲದೆ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಅಂಶಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಮೌಲ್ಯಯುತವಾದ ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಕೇವಲ ಎರಡು ರಾಜ್ಯಗಳ ವಹನ ಮತ್ತು ಆಫ್-ಸ್ಟೇಟ್, ಸಣ್ಣ ಶಕ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ದೊಡ್ಡ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು, ನೂರಾರು ವರೆಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ವರ್ಧನೆ ಅಥವಾ ಸಾವಿರಾರು ಬಾರಿ.ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ತುಂಬಾ ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಮೈಕ್ರೋ-ಸೆಕೆಂಡ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಆನ್ ಮತ್ತು ಆಫ್ ಆಗುತ್ತದೆ.ಸಂಪರ್ಕವಿಲ್ಲದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ, ಕಿಡಿಗಳಿಲ್ಲ, ಶಬ್ದವಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೆಚ್ಚ.ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಸ್ಥಿರ ಬೈಪಾಸ್ ಸ್ವಿಚ್, ಸಂಪರ್ಕ-ಮುಕ್ತ ಔಟ್ಪುಟ್ ಸ್ವಿಚ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

RUNAU ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು 1980 ರಿಂದ USA ನಿಂದ ಪರಿಚಯಿಸಲಾಯಿತು, ಚೀನಾದಲ್ಲಿ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಪ್ರವರ್ತಕರಾಗಿ, RUNAU ನ ತಾಂತ್ರಿಕ ತಂಡವು 30 ವರ್ಷಗಳಿಗೂ ಹೆಚ್ಚು ಕಾಲ ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಸಾಕಷ್ಟು ಉತ್ಪಾದನಾ ಅನುಭವವನ್ನು ಪಡೆದುಕೊಂಡಿದೆ.ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ, RUNAU ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನ ಪ್ರತಿಭಾ ತಂತ್ರಜ್ಞರು ಯುರೋಪಿಯನ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಅನುಕೂಲ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳೊಂದಿಗೆ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ರಾಜ್ಯದ ಕಲೆಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದ್ದಾರೆ, ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸಲಾಗಿದೆ, ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ದೊಡ್ಡ ಗೆಲುವುಗಳನ್ನು ಸಾಧಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು, ಮತ್ತು ಪಾಲುದಾರರಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಪರಿಚಯ:

1. ಚಿಪ್

RUNAU ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ತಯಾರಿಸಿದ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಸಿಂಟರ್ಡ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಶುದ್ಧ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ (99.999%) ಮಿಶ್ರಲೋಹಕ್ಕಾಗಿ ಸಿಂಟರ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ.ಸಿಂಟರಿಂಗ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಆಡಳಿತವು ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುವ ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶವಾಗಿದೆ.ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಜಂಕ್ಷನ್ ಆಳ, ಮೇಲ್ಮೈ ಸಮತಲತೆ, ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಕುಹರ ಮತ್ತು ಸಂಪೂರ್ಣ ಪ್ರಸರಣ ಕೌಶಲ್ಯ, ಸೆಂಟರ್ ಗೇಟ್, ರಿಂಗ್ ಸರ್ಕಲ್ ಮಾದರಿಯನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ RUNAU ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನ ಜ್ಞಾನವನ್ನು ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ವಹನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಲು ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗಿದೆ. ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಿ.

2. ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಶನ್

ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ವೇಫರ್ ಮತ್ತು ಬಾಹ್ಯ ಪ್ಯಾಕೇಜ್‌ನ ಚಪ್ಪಟೆತನ ಮತ್ತು ಸಮಾನಾಂತರತೆಯನ್ನು ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾಗಿ ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಚಿಪ್ ಮತ್ತು ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಬಾಹ್ಯ ಪ್ಯಾಕೇಜ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಬಿಗಿಯಾಗಿ ಮತ್ತು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಅಂತಹವು ಉಲ್ಬಣವು ಪ್ರವಾಹ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪ್ರವಾಹದ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಉತ್ತಮಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ದಪ್ಪ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ರಚಿಸಲು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮಾಪನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಯಿತು, ಮತ್ತು ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಲೇಪಿತವಾದ ರುಥೇನಿಯಮ್ ಪದರವು ಉಷ್ಣ ಆಯಾಸ ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ಕೆಲಸದ ಅವಧಿಯು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ.

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

1. RUNAU ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನಿಂದ ತಯಾರಿಸಲ್ಪಟ್ಟ ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಮಾದರಿಯ ಚಿಪ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಹಂತ ನಿಯಂತ್ರಿತ ಥೈರಿಸ್ಟರ್, I ರ ಶ್ರೇಣಿ_{ಟಿಎವಿ}300A ನಿಂದ 6000A ಮತ್ತು ವಿ_DRM/V_RRM800V ನಿಂದ 4400V ವರೆಗೆ.
2. I_GT, ವಿ_GTನಾನು ಮತ್ತು_Hಪರೀಕ್ಷಾ ಮೌಲ್ಯಗಳು 25℃, ಇಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ಹೇಳದ ಹೊರತು, ಎಲ್ಲಾ ಇತರ ನಿಯತಾಂಕಗಳು T ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಪರೀಕ್ಷಾ ಮೌಲ್ಯಗಳಾಗಿವೆ_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= ಸೈನುಸೈಡಲ್ ಅರ್ಧ ತರಂಗ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೂಲ ಅಗಲ.50Hz ನಲ್ಲಿ, I²t=0.005I²FSM(ಎ²ಎಸ್);
4. 60Hz ನಲ್ಲಿ: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

ನಿಯತಾಂಕ: